自对准间隔物多重图形化方法

摘要

本发明涉及自对准间隔物多重图形化方法，提供了一种自对准间隔物多重图形化的方法。该方法包括光刻胶图形的碱性处理且满足高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。

主权项

一种自对准间隔物多重图形化方法，包括：(a)提供包括要被图形化的一层或多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或多层上施加第一光敏组合物的第一层，其中，该第一光敏组合物包括第一树脂成分和光激活成分；(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；(d)显影该暴露于激发辐射的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用可有效地使该光刻胶图形的一个表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；(g)在要被图形化的一层或多层上施加第二光敏组合物的第二层，其与该光刻胶图形的碱性表面接触，该第二光敏组合物包括第二树脂成分和光酸产生剂；(h)暴露第二层于激发辐射；以及(i)显影该暴露于激发辐射的第二层以在该要被图形化的一层或多层上形成间隔物，该间隔物包括在该第二层显影中没有被去除的该第二层的部分。