发明名称 石墨烯纳米器件的制造
摘要 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线,然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后,通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。
申请公布号 CN101643199B 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN200810182767.5 申请日期 2008.12.04
申请人 首尔大学校产学协力团 发明人 洪承焄;李周炯;金泰铉
分类号 B82B3/00(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 吴亦华;蔡胜有
主权项 一种制造石墨烯纳米结构的方法,所述方法包括:在石墨烯层上形成氧化物纳米结构;使所述氧化物纳米结构在石墨烯层上按预定方向排列;利用所述排列好的氧化物纳米结构作为掩模,实施各向异性蚀刻;和在所述各向异性蚀刻后,除去残余的氧化物纳米结构。
地址 韩国首尔