发明名称 | 石墨烯纳米器件的制造 | ||
摘要 | 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线,然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后,通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。 | ||
申请公布号 | CN101643199B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN200810182767.5 | 申请日期 | 2008.12.04 |
申请人 | 首尔大学校产学协力团 | 发明人 | 洪承焄;李周炯;金泰铉 |
分类号 | B82B3/00(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴亦华;蔡胜有 |
主权项 | 一种制造石墨烯纳米结构的方法,所述方法包括:在石墨烯层上形成氧化物纳米结构;使所述氧化物纳米结构在石墨烯层上按预定方向排列;利用所述排列好的氧化物纳米结构作为掩模,实施各向异性蚀刻;和在所述各向异性蚀刻后,除去残余的氧化物纳米结构。 | ||
地址 | 韩国首尔 |