用于从基部基底受控地移除半导体器件层的方法

摘要

提供了一种从基部基底受控地移除半导体器件层的方法，包括在基部基底的上表面上提供裂纹传播层。在裂纹传播层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层。接着，蚀刻裂纹传播层的端部部分以在裂纹传播层中起始形成裂纹。随后分裂经蚀刻的裂纹传播层以提供经分裂的裂纹传播层部分至半导体器件层的表面，并且提供另一经分裂的裂纹传播层部分至基部基底的上表面。从半导体器件层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，并且从基部基底的上表面移除另一经分裂的裂纹传播层部分。

主权项

一种从基部基底移除半导体器件层的方法，所述方法包括：在基部基底的上表面上提供裂纹传播层；在所述裂纹传播层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层；蚀刻所述裂纹传播层的端部部分以在所述裂纹传播层中起始形成裂纹；分裂经蚀刻的裂纹传播层以提供经分裂的裂纹传播层部分至所述半导体器件层的表面，并且提供另一经分裂的裂纹传播层部分至所述基部基底的上表面；以及从所述半导体器件层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，以及从所述基部基底的上表面移除所述另一经分裂的裂纹传播层部分。