发明名称 |
在体硅上制备独立双栅FinFET的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法,主要的工艺流程包括:形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构;形成氧化隔离层;形成栅结构和源漏结构;形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立双栅FinFET,而且整个工艺流程完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容,具有简单、方便、周期短的特点,大大节省了硅片的成本。且采用本发明制备形成的独立双栅FinFET场效应晶体管,能够很好的抑制短沟道效应,并通过独立双栅器件特有的多阈值特点进一步降低器件的功耗。 |
申请公布号 |
CN102832133A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210313475.7 |
申请日期 |
2012.08.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黄如;樊捷闻;许晓燕;李佳;王润声 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法,包括如下步骤:a)形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构i.在硅衬底上淀积氧化硅、氮化硅作为硬掩膜;ii通过一次电子束光刻,刻蚀氮化硅、氧化硅工艺,在硬掩膜上形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构;iii.去掉电子束光刻胶;iv.刻蚀硅工艺,将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上;b)形成氧化隔离层i.淀积一层新的氮化硅;ii利用各项异性干法刻蚀刻蚀新的氮化硅,在Fin条两侧形成氮化硅侧墙;iii.利用各项异性干法刻蚀刻蚀Fin条两侧裸露出来的硅衬底;iv.通过湿法氧化在Fin条下面和Fin条两侧衬底表面形成氧化层;c)形成栅结构和源漏结构i.湿法腐蚀去掉氮化硅侧墙和氮化硅硬掩膜;ii热氧化生长一层栅氧化层;iii.淀积一层多晶硅作为栅材料;iv.CMP化学机械抛光,使多晶硅平坦化,并且停止在Fin条顶部氧化硅硬掩膜表面;v.通过电子束光刻,刻蚀多晶硅栅材料,形成多晶硅栅线条,Fin条两侧的栅线条不连接在一起,相互独立;vi.通过离子增强化学气相淀积以及回刻,形成氧化硅侧墙;vii进行离子注入和高温退火,形成源漏结构。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |