发明名称 |
曝光失焦的SEM检查装置及其方法 |
摘要 |
一种曝光失焦的SEM检查装置,包括间隔设置的至少第一可曝光图案和第二可曝光图案,所述第一可曝光图案具有第一平直线条图案和设置在所述第一平直线条图案上的第一凸部图案;所述第二可曝光图案具有第二平直线条图案和设置在所述第二平直线条图案上的第二凸部图案;位于所述第一可曝光图案与所述第二可曝光图案相邻空间的第一凸部图案和所述第二平直线条图案或者所述第二凸部图案和所述第一平直线条图案之间具有预设距离。本发明所述曝光失焦的SEM检查装置通过在所述平直条形图案上设置凸部图案,不仅增加了曝光敏感度,而且表征对焦平面的偏移更为直观。所述检查方法可以定点、准确,快捷的通过所述可曝光图案的变形粘连情况判断所述对焦平面的偏移量。 |
申请公布号 |
CN102830594A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210335510.5 |
申请日期 |
2012.09.11 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
王剑 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种曝光失焦的SEM检查装置,其特征在于,所述曝光失焦的SEM检查装置包括间隔设置的至少第一可曝光图案和第二可曝光图案,所述第一可曝光图案具有第一平直线条图案和设置在所述第一平直线条图案第一侧的第一凸部图案;所述第二可曝光图案具有第二平直线条图案和设置在所述第二平直线条图案第一侧的第二凸部图案;位于所述第一可曝光图案与所述第二可曝光图案相邻空间的第一凸部图案和所述第二平直线条图案或者所述第二凸部图案和所述第一平直线条图案之间具有预设距离,且所述预设距离根据刻蚀工艺中曝光对焦平面偏移量的不同大小和线宽大小进行预设。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |