| 发明名称 | 光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种光电探测叠层，包括m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度，m、n≥1；光电探测叠层上的电极。通过形成的高低交错能带的非晶态氧化物半导体的光电探测叠层，增强了光生电流，大大提高了光电效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102832269A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110164384.7 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/112(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种用于紫外探测器的光电探测叠层，其特征在于，包括：m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度，m、n≥1。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||