抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件

摘要

本发明涉及抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件。在晶片的抛光以前，把具有与晶片一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片固定在抛光头上。在抛光底盘中的窗口和反射物体之间放入抛光剂，并且用与晶片的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘。在这样的状况下，用从光源发射的探测光经由窗口照射反射物体，并且从传感器获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片的抛光期间，从传感器陆续获得从晶片反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片的抛光状态。

主权项

一种抛光状态监视方法，其特征在于其中在抛光期间监视通过在抛光底盘和抛光物之间放入抛光剂的状况下在上述的抛光底盘和上述的抛光物之间施加负载、以及通过使上述的抛光底盘和上述的抛光物相互相对移动来抛光的上述的抛光物的抛光状态，其中用从光源射出的探测光照射上述的抛光物、通过第一光学系统在抛光期间获取测量光谱、并且在抛光期间根据上述的测量光谱监视上述的抛光状态，上述的测量光谱是由上述的抛光物反射的光的光谱，在上述的抛光物的抛光期间用从上述的光源射出的光照射特定的反射物体，该特定的反射物体是不同于所述抛光物的，通过第二光学系统在上述的抛光物的抛光期间陆续地获取参考光谱，上述参考光谱是抛光状态下由所述反射物体反射的光的光谱，在上述的抛光物的抛光期间使用最新的参考光谱，根据上述的测量光谱对上述参考光谱的关系曲线监视上述的抛光状态，其中在射向上述的反射物体的上述的光的光径和从这样的反射物体反射的光的光径内放入上述的抛光剂的状况下获取上述的参考光谱。