发明名称 具有多个活性区的表面发射半导体激光器
摘要 说明有一种表面发射半导体激光器,具有:半导体本体(1),其具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2),所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接;以及被布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11),其中在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。
申请公布号 CN101971446B 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN200980109092.4 申请日期 2009.06.25
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 P·布里克;M·米勒
分类号 H01S5/183(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I 主分类号 H01S5/183(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张涛;李家麟
主权项 一种表面发射半导体激光器,具有:半导体本体(1),所述半导体本体(1)具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2),所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接;以及布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11),其特征在于,在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4),所述激光谐振腔具有折叠镜(22),并且所述偏振选择性元件(4)被布置在所述折叠镜(22)的表面上,所述外谐振腔镜(11)在第一波长λ1的情况下具有反射最大值并且所述折叠镜(22)在第二波长λ2的情况下具有反射最大值,以及所发射的激光辐射(13)的波长λL处于λ1与λ2之间。
地址 德国雷根斯堡