发明名称 |
具有多个活性区的表面发射半导体激光器 |
摘要 |
说明有一种表面发射半导体激光器,具有:半导体本体(1),其具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2),所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接;以及被布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11),其中在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。 |
申请公布号 |
CN101971446B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200980109092.4 |
申请日期 |
2009.06.25 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
发明人 |
P·布里克;M·米勒 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;李家麟 |
主权项 |
一种表面发射半导体激光器,具有:半导体本体(1),所述半导体本体(1)具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2),所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接;以及布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11),其特征在于,在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4),所述激光谐振腔具有折叠镜(22),并且所述偏振选择性元件(4)被布置在所述折叠镜(22)的表面上,所述外谐振腔镜(11)在第一波长λ1的情况下具有反射最大值并且所述折叠镜(22)在第二波长λ2的情况下具有反射最大值,以及所发射的激光辐射(13)的波长λL处于λ1与λ2之间。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |