发明名称 |
半导体电路 |
摘要 |
本发明披露了一种半导体电路。半导体电路包含基板、介电层、多晶硅层以及电压源线。介电层设置在基板上。多晶硅层设置在介电层上。多晶硅层具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于第一掺杂区与第二掺杂区之间的本征区。电压源线通过多晶硅层上方。多晶硅层通过第一掺杂区、第二掺杂区以及本征区形成稳压电容。稳压电容用以对应稳定该电压源线的通过电压,进而提高半导体电路的稳定性。 |
申请公布号 |
CN101866891B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200910134488.6 |
申请日期 |
2009.04.20 |
申请人 |
瑞鼎科技股份有限公司 |
发明人 |
黄耀生;杨景荣 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
李丙林;张英 |
主权项 |
一种半导体电路,所述半导体电路用于稳定电压源线的电压信号,包含:基板;介电层,设置于所述基板上;多晶硅层,设置于所述介电层上,其具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区;以及电压源线,所述电压源线通过所述多晶硅层上方。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |