发明名称 |
具使蚀刻速度均匀分布的阴极的掩模蚀刻等离子体反应器 |
摘要 |
一种用于蚀刻工件诸如矩形或正方形的掩模的等离子体反应器,包括具有顶部和侧壁的真空腔室和在包括阴极的腔室内的工件支撑底座,其中该阴极具有用于支撑工件的表面,该表面包含多个各个区域,该表面的各个区域由不同电学特性的各个材料形成。区域可以相对于晶圆支撑底座的对称轴同心排列。 |
申请公布号 |
CN101174096B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200710129974.X |
申请日期 |
2007.07.20 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
理查德·莱温顿;迈克尔·N·格林博金;吉姆·K·尼古恩;达林·比文斯;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;梁挥 |
主权项 |
一种用于处理工件的等离子体反应器,包含:具有顶部和侧壁的真空腔室;以及在所述腔室内的工件支撑底座,所述工件支撑底座包括阴极,所述阴极具有中心平台(44a),其中所述中心平台包含用以支撑工件的表面,所述表面包含具有不同电学特性的多个各个区域;以及围绕所述平台的底座环(52),所述底座环被划分为楔形物,所述楔形物包括盖环(52a)和俘获环(52b),所述盖环构成所述底座环的约五分之二,所述俘获环构成所述底座环的剩余部分,包括所述盖环和俘获环在内的所述底座环被划分为由具有不同电学特性的材料构成的两层(53,55),其中,所述盖环(52a)和俘获环(52b)两者都由所述两层构成。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |