双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革结构中BARC的刻蚀方法，通过采用包括H2、Ar和CxFy系气体的混合气体作为刻蚀气体，并且H2和Ar为主刻蚀气体，CxFy系气体为辅助刻蚀气体；由于H2对光阻有较高的刻蚀率，而对下层氧化层的刻蚀率几乎为零，从而减少了过刻蚀对ULK绝缘层的损伤；且由于Ar在蚀刻过程中增加了等离子体对BARC的轰击作用，这样对氧化层无损耗而克服了由于在不同图案区域以及晶片中间、周边蚀刻率的差异而引起的深度差；从而大幅减少整个晶片下层的氧化层的损失，提高了整个蚀刻深度的均匀性，同时在保证光阻图案高度真实的被转移到BARC层且无残留的情况下，减小了光阻的消耗而提高了蚀刻工艺的可靠性。

主权项

一种双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法，其特征在于，该方法采用的刻蚀气体包括H2、Ar和CxFy系气体，并且其中所述H2和Ar为主刻蚀气体，所述CxFy系气体为辅助刻蚀气体。