| 发明名称 | 含有下转换发光量子点的晶体硅及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含有下转换发光量子点的晶体硅制备方法，按照以下步骤实施：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入8ppbw~120ppmw一种稀土元素，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用铸锭法制得多晶硅；所述单晶硅或多晶硅中稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3；步骤2.将步骤1得到的单晶硅或多晶硅，进行退火处理，获得含有下转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了上述方法制备得到的含有下转换发光量子点的晶体硅，在单晶硅或多晶硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。本发明方法制得的太阳电池具有更高转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102828242A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210327124.1 | 申请日期 | 2012.09.06 |
| 申请人 | 西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 | 发明人 | 张群社;祁伟 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L31/0288(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 一种含有下转换发光量子点的晶体硅，其特征在于，所述晶体硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 | ||