一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器

摘要

一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。相关的现有技术采用p型与n型电极均为内腔接触式的，但其电极只在p侧引入，以减少双侧DBR电阻。该技术存在的主要问题是，p型与n型电极开在同一侧，其电极不可能制备成封闭环形，由于是半环型，电流的分配不对称，注入载流子诱发光子形成的光场分布不均匀。本发明提出的激光器结构， p型与n型电极在器件两侧，形成双内腔接触式结构，使注入电流绕过p型DBR和n型DBR直接进入有源区；同时n侧采用框架支撑结构及其制作方法，解决了形成n型电极窗口的刻蚀过程中，器件结构连接强度不足所造成的有源区崩落问题。

主权项

一种双内腔接触式n面出光框架支撑结构面发射半导体激光器，其特征在于，所述激光器包括：P型电极（1），p型DBR（2），p型欧姆接触层（3），氧化限制层（4），p型限制层（5），有源区（6），n型限制层（7），n型欧姆接触层（8），n型DBR（9），缓冲层（10），衬底（11），增透膜（12），n型电极（13），刻蚀区域（14），框架支撑结构（15）。