在BiCMOS工艺技术中的高电压SCRMOS

摘要

一种集成电路，其包括通过在漏极区（1010）和SCR端子（1012）周围的降低表面场（RESURF）区（1024）形成的SCRMOS晶体管。RESURF区与漂移区（1014）导电类型相同并且比漂移区（1014）更重掺杂。

主权项

一种集成电路，包含：具有第一导电类型的半导体衬底；以及SCRMOS晶体管，所述SCRMOS晶体管在所述衬底上形成；所述SCRMOS晶体管包括：深阱，其在所述衬底中形成，所述深阱具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述深阱包括漂移区；降低表面场（RESURF）区，其在所述深阱中形成，从而所述RESURF区横向毗连所述漂移区，所述RESURF区具有所述第二导电类型，其中所述RESURF区的掺杂浓度是所述漂移区的掺杂浓度的至少两倍；体区，其在所述深阱中形成，从而所述体区与所述RESURF区相反地横向毗连所述漂移区，所述体区具有所述第一导电类型；MOS栅极，其在所述衬底上形成，以使所述MOS栅极与所述体区的一部分重叠；漏极结构，其在所述漏极RESURF区中形成，所述漏极结构具有：漏极扩散区，其具有所述第二导电类型，以使所述漏极扩散区的掺杂浓度比所述RESURF区的所述掺杂浓度大至少三倍；以及SCR端子，其具有所述第一导电类型；以及源极结构，其在所述体区中形成，所述源极结构具有：邻近所述MOS栅极的源极扩散区，其具有所述第二导电类型；以及体接触扩散区，其具有所述第一导电类型。