| 发明名称 | 一种GaN纳米线生长方法 | ||
| 摘要 | 一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1-10分钟。生长出GaN纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN102828250A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210317228.4 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 修向前;华雪梅;张士英;林增钦;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 汤志武 |
| 主权项 | 一种制备GaN纳米线的方法，其特征是蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5‑50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1‑5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1‑20sccm，HCl载气流量10‑200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1‑10分钟。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||