ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件

摘要

一种ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件，其中具有较宽带隙的第二氮化物基化物半导体的第二半导体层形成在具有较小带隙的第一氮化物基化合物半导体的第一半导体层上，该第二半导体层包括开口，在通过开口露出的第一半导体层的一部分上形成栅绝缘层。在第一栅电极两侧形成的第一源电极和第一漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。第二栅电极与第二半导体层形成肖特基接触，在第二栅电极两侧形成的第二源电极和第二漏电极与第二半导体层形成欧姆接触。

主权项

一种增强/耗尽反相器，包括：在衬底上由具有较小带隙的p型第一氮化物基化合物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上由具有较宽带隙的第二氮化物基化合物半导体形成的第二半导体层，所述第二半导体层在预定位置处包括第一开口，以通过第一开口露出第一半导体层；在所述第一半导体层中的从第一开口处露出的那一部分上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘层上形成的第一栅电极；在所述第一栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成的第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极与所述第二半导体层形成欧姆接触；在所述第二半导体层上形成的第二栅电极，所述第二栅电极与所述第二半导体层形成肖特基接触；以及在所述第二栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成的第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极与所述第二半导体层形成欧姆接触。