稳定SRAM单元

摘要

本发明描述了SRAM单元和SRAM单元阵列。在一个实施例中，SRAM单元包括第一倒相器、以及与第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点的第二倒相器。SRAM单元进一步包括第一传输门晶体管和开关晶体管。第一传输门晶体管的第一源极/漏极连接至第一数据存储节点，并且第一传输门晶体管的第二源极/漏极连接至第一位线。开关晶体管的第一源极/漏极连接至第一传输门晶体管的栅极。

主权项

一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一倒相器；第二倒相器，与所述第一倒相器交叉连接以形成用于锁存一值的第一数据存储节点和互补第二数据存储节点；第一传输门晶体管，具有第一源极/漏极、第二漏极/源极以及栅极，其中，所述第一传输门晶体管的所述第一源极/漏极连接至所述第一数据存储节点，并且所述第一传输门晶体管的所述第二漏极/源极连接至第一位线；以及开关晶体管，具有第一源极/漏极、第二漏极/源极、以及栅极，其中，所述开关晶体管的所述第一源极/漏极连接至所述第一传输门晶体管的所述栅极，所述开关晶体管的所述栅极连接至列选择线，并且其中，所述开关晶体管的所述第二漏极/源极连接至字线，所述第一传输门晶体管为NMOS晶体管，并且其中，所述开关晶体管为PMOS晶体管；第二传输门晶体管，具有第一源极/漏极、第二漏极/源极、以及栅极，其中，所述第二传输门晶体管的所述第一源极/漏极连接至所述第二数据存储节点，并且所述第二传输门晶体管的所述第二漏极/源极连接至第二位线，并且其中，所述开关晶体管的所述第一源极/漏极连接至所述第二传输门晶体管的所述栅极。