| 发明名称 | 集成高压二极管及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包括集成高压二极管(72)的非对称半导体器件(3)，其包括：衬底，该衬底包括外延层(47)和在该外延层上形成图案的第一类型的深阱注入(42)；将阴极和阳极隔开的浅槽隔离(STI)区；位于阳极下面的第二类型的第一阱注入(40)；以及在深阱注入上和在阳极及STI区的一部分下面形成图案的第二类型的深注入掩模(34)。 | ||
| 申请公布号 | CN101331612B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN200680047677.4 | 申请日期 | 2006.12.12 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 西奥多·J·莱塔维奇 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种包括集成高压二极管的非对称半导体器件，其包括：衬底，该衬底包括外延层和在所述外延层上形成图案的第一类型的深阱注入；浅槽隔离区，其将阴极和阳极隔开；位于所述阳极下面的第二类型的第一阱注入；以及在所述深阱注入上和在所述阴极和所述浅槽隔离区的一部分下面形成图案的第二类型的深注入掩模，其中所述深注入掩模与所述外延层之间被所述深阱注入完全隔开，并且所述深注入掩模接触所述第一阱注入，使得电流经过所述深注入掩模和所述第一阱注入从阴极流至阳极。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||