| 发明名称 | 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统 | ||
| 摘要 | 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，本发明将双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4），最终将VFTO脉冲（7）携带的残余电荷消耗吸收殆尽。本发明实现了GIS内部VFTO脉冲残余电荷消除，安装属于一体化安装，使用方便，具有占地面积小，安全可靠，效果明显等显著优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102832562A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210302329.4 | 申请日期 | 2012.08.23 |
| 申请人 | 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院;云南电网公司技术分公司 | 发明人 | 谭向宇;杨卓;赵现平;王达达;王科;彭晶;张少泉;马仪;陈磊;徐肖伟;刘红文;马宏明;文斌;王振 |
| 分类号 | H02B13/075(2006.01)I | 主分类号 | H02B13/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明大百科专利事务所 53106 | 代理人 | 何健;张代民 |
| 主权项 | 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关（1）、大功率电阻片（2）、上铁氧体磁环（3）、盆式绝缘子（6）、下铁氧体磁环（8），其特征是：双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4）。 | ||
| 地址 | 650217 云南省昆明市经济技术开发区云大西路中段云电科技园 | ||