| 发明名称 | 一种制备GaN薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102828240A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210316953.X | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 修向前;华雪梅;林增钦;张士英;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 |
| 分类号 | C30B25/20(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 汤志武 |
| 主权项 | 一种制备GaN薄膜材料的方法，其特征是在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||