| 发明名称 | 快恢复二极管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层；对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。本发明所提供的方法可制造不同耐压范围的快恢复二极管，适用范围较宽；且该方法相比外延工艺来说可降低制作成本，相比扩散工艺来说可提高所形成的快恢复二极管的性能；再有，该方法还能降低工艺过程中产生碎片的几率。 | ||
| 申请公布号 | CN102832121A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110163951.7 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 吴振兴;孙宝刚;朱阳军;赵佳;卢烁今 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括：提供一N+衬底和一N‑衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N‑衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N‑衬底进行减薄，并在减薄后的N‑衬底的表面形成P+层及第一金属层；对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。 | ||
| 地址 | 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||