| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制备方法和有机发光二极管显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制备方法，以及包含所述TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置；所述TFT包括衬底、布置在衬底上的栅极、布置在栅极上的栅绝缘层、布置在栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层，以及布置在半导体层上并电连接到半导体层的源区和漏区的源极和漏极。将第二金属扩散到所述半导体层的表面区域里，以吸除所述半导体层的沟道区中的金属催化剂。第二金属在硅中的扩散系数比上述金属催化剂更低。 | ||
| 申请公布号 | CN101494242B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN200910001981.0 | 申请日期 | 2009.01.24 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 安志洙;朴炳建;梁泰勋;徐晋旭;李吉远;李基龙;金圣哲 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括衬底；布置在所述衬底上的栅极；布置在所述栅极上的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层；以及布置在所述半导体层上并电连接到半导体层的源区和漏区的源极和漏极，其中，将与所述金属催化剂不同的第二金属布置在面向源极和漏极的所述半导体层的表面区域内；且所述第二金属是金属硅化物的形式；其中所述第二金属的扩散系数是金属催化剂的扩散系数的1%或更低。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||