| 发明名称 | 张应变锗薄膜外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种张应变锗薄膜外延结构。该张应变锗薄膜外延结构包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGa1-xAs缓冲层、含锗薄膜层；其中，0<x≤0.53。该张应变锗薄膜外延结构中的InxGa1-xAs缓冲层具有比含锗薄膜层大的晶格常数，且晶格常数随In组份的增加线性增加，使得生长在InxGa1-xAs缓冲层上的含锗薄膜层的张应变大，而且含锗薄膜层的张应变随着In含量的增加而增加，当InxGa1-xAs中的x为0.3时，其张应变高达到2.0%。 | ||
| 申请公布号 | CN202616233U | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201220216685.X | 申请日期 | 2012.05.15 |
| 申请人 | 深圳信息职业技术学院 | 发明人 | 周志文;叶剑锋 |
| 分类号 | H01L29/267(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/267(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种张应变锗薄膜外延结构，包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGa1‑xAs缓冲层、含锗薄膜层；其中，0<x≤0.53。 | ||
| 地址 | 518029 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2188号深圳信息职业技术学院 | ||