| 发明名称 | 含有上转换发光量子点的晶体硅及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含有上转换发光量子点的晶体硅的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入稀土元素8ppbw~120ppmw，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用常规铸锭法制得多晶硅，所述单晶硅或多晶硅中的稀土元素的原子数量浓度为1010~1016atoms/cm3；步骤2.将步骤1制得的单晶硅或多晶硅，在700℃~1000℃进行退火处理，得到含有上转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了一种上述方法制备的晶体硅，单晶硅中或多晶硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。本发明方法增加了硅材料对红外光谱的吸收，转换效率显著提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102832267A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210326645.5 | 申请日期 | 2012.09.06 |
| 申请人 | 西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 | 发明人 | 张群社;祁伟 |
| 分类号 | H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0256(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 罗笛 |
| 主权项 | 一种含有上转换发光量子点的晶体硅，其特征在于：晶体硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 | ||