一种欠压锁定电路

摘要

一种欠压锁定电路，属于电子技术领域。包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）以及反相器（INV1）；R1和R2串联后的一端接芯片内部电源电压，另一端接M1的漏极，R1和R2的串联点接M1的栅极；M1的源极接M2和M3的漏极；M2的栅极接M1的漏极并接INV1的输入端；M3的栅极接INV1的输出端，INV1的输出端作为所述欠压锁定电路的输出端；M2和M3的源极接芯片地。本发明具有结构简单、功耗较小，节约芯片面积以及CMOS兼容性好等优点，同时具有滞回特性。

主权项

一种欠压锁定电路，包括：第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）以及反相器（INV1）；第一电阻（R1）和第二电阻（R2）串联后的一端接芯片内部电源电压（VDD），另一端接第一NMOS管（M1）的漏极第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的串联点（A）接第一NMOS管（M1）的栅极；第一NMOS管（M1）的源极接第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）的漏极；第二NMOS管（M2）的栅极接第一NMOS管（M1）的漏极并接反相器（INV1）的输入端；第三NMOS管（M3）的栅极接反相器（INV1）的输出端，反相器（INV1）的输出端作为所述欠压锁定电路的输出端；第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）的源极接芯片地（VSS）。