发明名称 主动元件阵列基板及其制造方法
摘要 一种主动元件阵列基板及其制造方法,该主动元件阵列基板包含软质基板、栅极、介电层、通道层、源极、漏极与像素电极。软质基板上定义有晶体管区与透光区。晶体管区与透光区相毗邻。栅极位于晶体管区的软质基板上。介电层覆盖栅极与软质基板。位于栅极上方的部分介电层具有第一厚度。位于透光区的软质基板上的部分介电层具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。通道层、源极与漏极均位于晶体管区的介电层上。通道层位于栅极的上方。源极与漏极位于通道层两侧且分别电性连接通道层。像素电极位于透光区的介电层上。此像素电极电性连接漏极。
申请公布号 CN102832226A 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN201210160762.9 申请日期 2012.05.16
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 叶家宏;吕思慧;林武雄;丘兆仟;李明贤;彭佳添;黄伟明
分类号 H01L27/28(2006.01)I;G09F9/37(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/28(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种主动元件阵列基板,其特征在于,包含:一软质基板,该软质基板上定义有至少一晶体管区与至少一透光区,该晶体管区与该透光区相毗邻;一栅极,位于该晶体管区的该软质基板上;一介电层,覆盖该栅极与该软质基板,位于该栅极上方的部分该介电层具有一第一厚度,位于该透光区的该软质基板上的部分该介电层具有一第二厚度,其中该第二厚度小于该第一厚度;一通道层、一源极与一漏极,位于该晶体管区的该介电层上,该通道层位于该栅极的上方,该源极与该漏极位于该通道层两侧且分别电性连接该通道层;以及一像素电极,位于该透光区的该介电层上,该像素电极电性连接该漏极。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号