发明名称 | 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法 | ||
摘要 | 具有高电导率和迁移率的掺杂AlN晶体和/或AlGaN外延层,通过如下步骤进行制造:例如形成包含多种杂质物类的混合晶体,和电激活该晶体的至少一部分。 | ||
申请公布号 | CN101331249B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN200680045153.1 | 申请日期 | 2006.12.04 |
申请人 | 晶体公司 | 发明人 | L·J·斯库瓦特;G·A·斯莱克 |
分类号 | C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
主权项 | 形成掺杂AlN晶体的方法,该方法包括以下步骤:a.形成包含AlN和多种杂质物类的混合晶体,所述多种杂质物类由源化合物提供;和b.优先电激活至少一部分混合晶体中的一种杂质物类以便形成掺杂AlN晶体。 | ||
地址 | 美国纽约 |