发明名称 | 增强铈掺杂正硅酸镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体 | ||
摘要 | 增强铈掺杂正硅酸镥(LSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法,包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LSO单晶体。 | ||
申请公布号 | CN1926217B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN200580006295.2 | 申请日期 | 2005.01.05 |
申请人 | 克利斯托光子学公司 | 发明人 | B·柴 |
分类号 | C09K11/08(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/08(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蔡胜有 |
主权项 | 增强铈掺杂正硅酸镥LSO单晶体响应高能辐照的性能的方法,所述单晶体具有空间群为C2/c的单斜晶体结构,该方法包括:通过在含氧环境中加热LSO单晶体一段时间将氧扩散到LSO单晶体中。 | ||
地址 | 美国佛罗里达 |