发明名称 增强铈掺杂正硅酸镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体
摘要 增强铈掺杂正硅酸镥(LSO)单晶体响应高能辐照的光输出的方法,包括通过在含氧环境中加热晶体一段时间将氧扩散到晶体中。这种晶体的热氧化方法可有效提供氧填充LSO单晶体中的至少一些氧空位。闪烁检测器包含通过在晶体中扩散氧增强的LSO单晶体。
申请公布号 CN1926217B 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN200580006295.2 申请日期 2005.01.05
申请人 克利斯托光子学公司 发明人 B·柴
分类号 C09K11/08(2006.01)I 主分类号 C09K11/08(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 蔡胜有
主权项 增强铈掺杂正硅酸镥LSO单晶体响应高能辐照的性能的方法,所述单晶体具有空间群为C2/c的单斜晶体结构,该方法包括:通过在含氧环境中加热LSO单晶体一段时间将氧扩散到LSO单晶体中。
地址 美国佛罗里达