纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法，属于半导体器件领域，本发明器件包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和其上的外延层，所述外延层包括第一n型轻掺杂GaN层和其上的选择生长层，选择生长层从下往上依次包括电子阻挡层、非掺杂GaN层和异质结构势垒层，所述选择生长层中部形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结构势垒层接触的源极，漏极置于导电GaN衬底背面。本发明器件结构和制作工艺简单，重复性和稳定性很高，且能够达到高的正向阈值电压。

主权项

纵向导通的GaN增强型MISFET器件，包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和其上的外延层，其特征在于，所述外延层包括第一n型轻掺杂GaN层以及其上的选择生长层，所述选择生长层从下往上依次包括电子阻挡层、非掺杂GaN层和异质结构势垒层，所述选择生长层中部形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结构势垒层接触的源极，漏极置于导电GaN衬底背面。