| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法，包括：氧化衬底，以形成局部氧化物区域，其延伸到衬底的顶表面上方。在局部氧化物区域和衬底顶表面上形成膜层。移除膜层下面的部分衬底。移除膜层下面的局部氧化物区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102826502A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210263957.6 | 申请日期 | 2012.06.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | S·巴岑;A·德赫;W·弗里萨;W·克莱因 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I;H04R19/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;李家麟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：氧化衬底，以形成延伸到衬底的顶表面上方的局部氧化物区域；在局部氧化物区域和衬底的顶表面上形成膜层；移除膜层下面的部分衬底；以及移除膜层下面的局部氧化物区域。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||