| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底，具有第一导电型，且具有被密封环区所围绕的芯片区。绝缘层位于半导体基底上。第一密封环结构埋设于绝缘层内且对应于密封环区。第一电容器位于密封环结构下方并与其电性连接，其中电容器包括半导体基底的主体。本发明提出的半导体装置，利用在密封环结构下方设置电容器并与其电性连接，以减轻或排除基底噪声耦合的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102832204A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201210192917.7 | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 洪建州;李东兴;黄裕华;杨明宗 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 于淼;杨颖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体基底，具有第一导电型，且具有被密封环区所围绕的芯片区；绝缘层，位于所述半导体基底上；第一密封环结构，埋设于所述绝缘层内且对应于所述密封环区；以及第一电容器，位于所述第一密封环结构下方并与其电性连接，其中所述第一电容器包括所述半导体基底的主体。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||