发明名称 | 导电接触物的制造方法 | ||
摘要 | 一种导电接触物的制造方法,包括:提供半导体基板,其上具有介电层且其内具有两个导电区与隔离组件,而该隔离组件隔离了该两个导电区;在该介电层内形成开口,露出该隔离组件的顶面及该两个导电区的部份顶面;施行磊晶程序,在该开口内形成导电半导体层,覆盖该隔离组件该顶面及该两个导电区的该部份顶面;以及在该开口内形成导电层,覆盖该导电半导体层并填满该开口。 | ||
申请公布号 | CN102832164A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN201110220351.X | 申请日期 | 2011.07.29 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 何家铭;陈逸男;刘献文 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
主权项 | 一种导电接触物的制造方法,其特征在于包括:提供半导体基板,所述半导体基板上具有介电层且所述半导体基板内具有两个导电区与隔离组件,而所述隔离组件隔离了所述两个导电区;在所述介电层内形成开口,露出所述隔离组件的顶面及所述两个导电区的部份顶面;施行磊晶程序,在所述开口内形成导电半导体层,覆盖所述隔离组件的所述顶面及所述两个导电区的所述部份顶面;以及在所述开口内形成导电层,覆盖所述导电半导体层并填满所述开口。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |