一种层状透明导电层LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供了一种层状透明导电层LED芯片结构的制备方法及其结构，该方法包括：步骤10)、提供LED外延片；步骤20)、在LED外延片上进行Mesa处理，以暴露出外延片的N-GaN层；步骤30)、外延片的未暴露表面上沉积具有高功函数的第一层透明导电层；步骤40)、在第一层透明导电层上沉积第二层透明导电层；步骤50)、蒸镀P&N电极，形成LED COW结构。本发明在透明导电膜层膜和P-GaN之间插入一层新的高功函数的膜层，降低透明导电膜层膜和P-GaN之间的接触势垒，起到降低芯片的驱动电压，同时，由于此插入层的折射率介于ITO膜层和P-GaN之间或与之上的透明导电膜层的折射率相当保证了LED外量子效率没有降低。

主权项

一种层状透明导电层LED芯片结构的制备方法，包括：步骤10)、提供LED外延片；步骤20)、在LED外延片上进行Mesa处理，以暴露出外延片的N‑GaN层；步骤30)、外延片的未暴露表面上沉积具有高功函数的第一层透明导电层；步骤40)、在第一层透明导电层上沉积第二层透明导电层；步骤50)、蒸镀P&N电极，形成LED COW结构。