一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述凹槽的底部形成非晶层；对包含有所述非晶层的半导体衬底进行各向异性的湿法蚀刻，以使所述凹槽的侧壁向器件沟道方向内凹从而形成∑状凹槽；退火使所述非晶层晶化，再进行第二次各向异性的湿法蚀刻，去除所述非晶层；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅应力层。根据本发明，形成一种用于嵌入式锗硅应变MOS器件的∑状凹槽，在制作所述凹槽的过程中，采用预非晶化离子注入形成各向异性的湿法蚀刻的蚀刻阻挡层，可以减小微负载效应，提高蚀刻效率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述凹槽的底部形成非晶层；对包含有所述非晶层的半导体衬底进行各向异性的湿法蚀刻，以使所述凹槽的侧壁向器件沟道方向内凹从而形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中外延生长锗硅应力层。