一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及微电子技术领域的材料，具体涉及一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料。本发明提供一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料，所述Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料是由铝、锑、硒三种元素组成。本发明的Al-Sb-Se纳米薄膜材料具有如下优点：首先，Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；其次，Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料具有较高的激活能，从而能够极大的改善PCRAM的热稳定性；再次，Al-Sb-Se相变材料中不含有有毒、易挥发的Te元素，因而相比传统的Ge2Sb2Te5材料，对人体和环境的影响较小。

主权项

一种Al‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述Al‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料是由铝、锑、硒三种元素组成。