发明名称 |
一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 |
摘要 |
本发明关于一种化学机械抛光液,尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液,可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液,含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质;其中以抛光液总重量为基准,上述组分的重量百分比为:氧化物抛光颗粒0.2-50wt%;盐组份,其通式为MXn,M为金属元素,X为卤素0.1-5wt%,n=1、2或3;螯合剂0.05-5wt%;余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液,通过盐组份及螯合剂的独特组合,在适当的pH的条件下,大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。 |
申请公布号 |
CN102827549A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210324122.7 |
申请日期 |
2012.09.04 |
申请人 |
上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王良咏;刘卫丽;宋志棠 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液,含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质;其中以抛光液总重量为基准,上述组分的重量百分比为:氧化物抛光颗粒0.2‑50wt%;盐组份,其通式为MXn,M为金属元素,X为卤素0.1‑5wt%,n=1、2或3;螯合剂0.05‑5wt%;余量为pH调节剂和水性介质。 |
地址 |
201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 |