一种倒装芯片的半导体器件及制造方法

摘要

本发明一般涉及一种倒装芯片的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的封装方式所制备的包含金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在芯片安装单元上，通过在第一基座、第二基座各自的顶面上进行半刻蚀或模压来获得横向或纵向的凹槽，以将第一基座的顶面分割成包含多个第一类粘贴区的多个区域，将第二基座的顶面分割成至少包含一个第二类粘贴区的多个区域，其中，芯片顶面的电极与第一类粘贴区、第二类粘贴区与进行接触并粘贴。

主权项

一种倒装芯片的半导体器件，其特征在于，包括：一芯片安装单元，至少包含第一基座以及设置在第一基座附近并与第一基座分离开的第二基座和引线座，并且在所述第一基座的顶面、第二基座的顶面均形成有多条包括横向及纵向的凹槽，其中，位于第一基座的顶面的凹槽将第一基座的顶面分割成包含多个第一类粘贴区的多个区域，位于第二基座的顶面的凹槽将第二基座的顶面分割成至少包含一个第二类粘贴区的多个区域；以及倒装粘贴至第一基座、第二基座上的芯片，其中，所述芯片包括位于芯片正面的第一电极和第二电极，所述芯片的第一电极与所述多个第一类粘贴区接触并粘贴在一起，所述芯片的第二电极与第二类粘贴区接触并粘贴在一起。