| 发明名称 | 形成开口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明优选披露一种形成开口的方法。该方法包括首先形成含碳的硬掩模于半导体基底表面，然后利用不含氧原子的气体对该硬掩模进行蚀刻工艺，以于该硬掩模中形成第一开口。 | ||
| 申请公布号 | CN102832163A | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201110160266.9 | 申请日期 | 2011.06.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张峰溢;林义博;廖俊雄;蔡尚元;冯郅文;吕水烟;徐庆斌 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种形成开口的方法，包括：形成含碳的硬掩模于半导体基底表面；以及利用不含氧原子的气体对该硬掩模进行第一蚀刻工艺，以于该硬掩模中形成第一开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||