| 发明名称 | 形成电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供形成电子器件的方法。所述方法包括光刻胶图形的碱性处理且允许高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。 | ||
| 申请公布号 | CN101963754B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201010263200.8 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | Y·C·裴;T·卡多拉西亚;刘沂 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 樊云飞 |
| 主权项 | 一种形成电子器件的方法，包括：(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在所述要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物的第一层；(c)通过第一光掩模将该第一层曝光于活化辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用碱性材料和不同于该碱性材料的表面活性剂处理该被硬烘烤的光刻胶图形，以使得该光刻胶图形的表面碱性化；(g)在被处理过的光刻胶图形和要被图形化的一层或更多层上施加第二光敏组合物的第二层，该第二光敏组合物包含树脂成分和光酸产生剂；(h)将第二层曝光于活化辐射；以及(i)显影该被曝光的第二层，在显影后留下该第二层的一部分。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||