一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，包括在晶体硅片绒面上生长扩散掩膜，再蚀刻开槽出电极栅线区域；然后采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，同时在非电极栅线区域形成浅掺杂区；所述一次扩散工艺包括如下步骤：(1)进舟；(2)温度稳定；(3)高温扩散：把三氯氧磷通过氮气带入扩散炉管内进行扩散；(4)高温推进：通入氧气进行扩散后再分布；(5)温度稳定：降温20～120℃，并使得扩散炉管内的温度稳定；(6)低温推进：通入氧气进行扩散后再分布；(7)退舟。本发明可将重掺杂区方块电阻控制在40Ω以下，浅掺杂区方块电阻控制在50Ω以上，实现了晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备。

主权项

一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法，包括如下步骤：(a)在晶体硅片绒面上生长扩散掩膜，再蚀刻开槽出电极栅线区域；(b)采用一次扩散工艺，在电极栅线区域形成重掺杂区，同时在非电极栅线区域形成浅掺杂区；其特征在于，所述一次扩散工艺包括如下步骤：(1)进舟：把装载硅片的石英舟推进扩散炉管中；(2)温度稳定：使得扩散炉管内的温度稳定；(3)高温扩散：把三氯氧磷通过氮气带入扩散炉管内进行扩散；高温扩散的时间控制在30～60min，温度设定在850～920℃，氮气流量为10～35L/min，氧气流量为500～4000mL/min，携带三氯氧磷的氮气流量为400～3000mL/min；(4)高温推进：通入氧气进行扩散后再分布；高温推进的时间控制在5～10min，温度设定在850～920℃，氮气流量为10～35L/min，氧气流量为500～4000mL/min；(5)温度稳定：降温20～120℃，并使得扩散炉管内的温度稳定；温度稳定的时间控制在5～15min，温度设定在800～850℃，氮气流量大于10L/min；(6)低温推进：通入氧气进行扩散后再分布；低温推进的时间控制在10～20min，温度设定在800～850℃，氮气流量为10～35L/min，氧气流量为500～4000mL/min(7)退舟：把装载扩散后的硅片的石英舟从扩散炉管内退出。