| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中形成有沟槽；在所述衬底上及沟槽中沉积氧化硅；去除所述衬底上的氧化硅；对所述沟槽中的氧化硅执行退火工艺；其中，沉积所述氧化硅时对所述衬底执行冷却工艺。本发明的方法可减小或消除沟槽中绝缘介质施加于导电沟道中的压应力，且制造工艺较为简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101752292B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN200810207521.9 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘明源 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底中形成有沟槽；在所述衬底上及沟槽中沉积氧化硅；去除所述衬底上的氧化硅；对所述沟槽中的氧化硅执行退火工艺；其中，以小于或等于1000埃/分钟的速率沉积所述氧化硅并同时对所述衬底执行冷却工艺，所述冷却工艺通过向所述衬底背面吹冷却气体来执行，所述冷却气体的温度小于或等于30摄氏度，所述冷却工艺使所述氧化硅中的氢气被释放出来，以减小压应力，并减小压应力对NMOS晶体管载流子迁移率的抑制效应。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||