发明名称 | 光电转换器件 | ||
摘要 | 本发明涉及光电转换器件。一种光电转换器件包括:多个光电转换区域;被布置在多个光电转换区域上的层间绝缘膜;被布置为与层间绝缘膜接触并具有与层间绝缘膜的折射率不同的折射率的保护绝缘膜;被布置在多个光电转换区域中的每一个的受光表面中的凹陷;以及被埋入在凹陷中的埋入区域。当对于多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且埋入区域的折射率由n表示时,凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。 | ||
申请公布号 | CN102104052B | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
申请号 | CN201010580456.1 | 申请日期 | 2010.12.09 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 工藤正稔;林良之;齐藤和宏;加藤太朗;福元嘉彦 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李颖 |
主权项 | 一种光电转换器件,包括:多个光电转换区域;层间绝缘膜,所述层间绝缘膜被布置在所述多个光电转换区域上;保护绝缘膜,所述保护绝缘膜被布置为与所述层间绝缘膜接触并且具有与所述层间绝缘膜的折射率不同的折射率;多个凹陷,所述多个凹陷被布置在所述多个光电转换区域中的每一个的受光表面中;以及多个埋入区域,所述多个埋入区域被分别埋入所述多个凹陷中的对应凹陷中,其中,当对于所述多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且所述埋入区域的折射率由n表示时,所述凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。 | ||
地址 | 日本东京 |