发明名称 |
光源装置、光学拾取器和记录装置 |
摘要 |
本发明公开了一种光源装置、光学拾取器和记录装置。该光源装置被构造为主振荡器功率放大器,该光源装置包括:锁模激光单元,具有外部共振器;以及半导体光放大器,对从锁模激光单元射出的激光进行放大和调制。半导体光放大器的入射侧波导在横向方向上的宽度被设定为使得半导体光放大器的入射侧波导的水平横向模变成多模,并且对从锁模激光单元至半导体光放大器的入射光的放大率进行转换的放大率转换单元被设置为使得在半导体光放大器的入射侧的光耦合中选择性地激发基模。 |
申请公布号 |
CN102831902A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210163258.4 |
申请日期 |
2012.05.23 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
冈美智雄;吉田浩;田中健二 |
分类号 |
G11B7/126(2012.01)I;G11B7/124(2012.01)I |
主分类号 |
G11B7/126(2012.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种光源装置,被构造为主振荡器功率放大器,所述光源装置包括:锁模激光单元,具有外部共振器;以及半导体光放大器,对从所述锁模激光单元射出的激光进行放大和调制;其中,所述半导体光放大器的入射侧波导在横向方向上的宽度被设定为使得所述半导体光放大器的所述入射侧波导的水平横向模变为多模,并且对从所述锁模激光单元至所述半导体光放大器的入射光的放大率进行转换的放大率转换单元被设置为使得在所述半导体光放大器的入射侧的光耦合中选择性地激发基模。 |
地址 |
日本东京 |