用于制备LED倒装芯片的图形化衬底

摘要

本发明公开了一种专门用于制备LED倒装芯片的新型图形化衬底，其包括采用在平面蓝宝石衬底表面沉积一层或多层薄膜材料（该薄膜材料折射率不同于蓝宝石的折射率（n=1.76），该种材料可为氧化钛、氧化锌、氧化镁等，但不限于这几种材料），然后利用ICP干法刻蚀出锥形、柱状图形，可以有效提高出光效率。本发明的新型图形化衬底，主要针对于倒装芯片，衬底图形表面（锥形、柱状图形）涂层或整体材质为非蓝宝石材料，当倒装芯片的光子经过该涂层（一层或多层）时，由于其折射率不同，破坏了光子在蓝宝石材料中的全反射光路，可以在最大程度上增加出光几率，该发明提供的图形衬底对倒装结构芯片的出光效率能提高15%以上。

主权项

一种用于制备LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于：它包括蓝宝石基底、沉积于所述的蓝宝石基底上表面的一层或多层半导体材料薄膜，所述的半导体材料薄膜上刻蚀形成有图形阵列，其中，所述的半导体材料薄膜的折射率介于蓝宝石衬底的折射率与GaN材料的折射率之间。