发明名称 |
非易失性存储系统及其相应的编程方法 |
摘要 |
一种包括主机系统,存储控制器,以及具有多级闪存单元的闪存芯片的非易失性存储系统。存储控制器包括备份存储器,在多级闪存单元进一步编程时,备份存储器适于储存以前编程在多级闪存单元的数据的备份。如果在进一步编程多级闪存单元期间出现错误或故障,用以前的编程数据的备份对不同的多级闪存单元编程。 |
申请公布号 |
CN101202106B |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN200710308183.3 |
申请日期 |
2007.09.24 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
崔珍赫 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽 |
主权项 |
一种非易失性半导体存储系统,包括:非易失性存储器,包括具有多个多位非易失性存储单元的存储阵列;以及存储控制器,在该非易失性存储器之外,包括:缓冲存储器,适于储存被编程到多个多位非易失性存储单元的所选择的存储单元中的j位数据;以及备份存储器,适于储存在j位数据被编程到所选择的存储单元之前先前编程到所选择的存储单元的i位数据,其中非易失性存储器进一步包括页缓冲器,其经由位线连接到存储阵列,页缓冲器临时存储通过位线从存储阵列读取的数据、以及来自存储控制器的将要编程的数据,其中存储在备份存储器中的i位数据是在j位数据被编程到所选择的存储单元之前通过页缓冲器从所选择的存储单元读取的,其中当确定j位数据没有成功地编程到所选择的存储单元时,则将储存在备份存储器中的i位数据和储存在缓冲存储器中的j位数据编程到存储阵列第二区域的存储单元。 |
地址 |
韩国京畿道 |