通过离子注入进行隔离的发光二极管

摘要

本发明涉及通过离子注入进行隔离的发光二极管，其包括：在引线框架上的发光二极管；该二极管包含：III族氮化物的第一外延层，该外延层具有第一导电类型；第一外延层上的III族氮化物的第二外延层，第二外延层具有与第一导电类型相反的第二导电类型并与第一外延层之间形成p-n结；与III族氮化物的第二外延层接触的欧姆触点，位于III族氮化物的第二外延层和引线框架之间，用来提供从引线框架到III族氮化物的第二外延层的电接触；以及在第一外延层上并围绕第二外延层的III族氮化物隔离区，该III族氮化物隔离区具有比第二外延层更高的电阻率，以用于把p-n结与过量的不希望有的金属半导体连接隔离开。

主权项

一种发光二极管，包括：在引线框架上的发光二极管；所述二极管包含：III族氮化物的第一外延层，所述第一外延层具有第一导电类型；所述第一外延层的顶表面上的III族氮化物的第二外延层，所述第二外延层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并与所述第一外延层之间形成p‑n结；与所述III族氮化物的第二外延层接触的欧姆触点，位于所述III族氮化物的第二外延层和所述引线框架之间，用来提供从所述引线框架到所述III族氮化物的第二外延层的电接触；以及在所述第一外延层的顶表面上并围绕所述第二外延层的III族氮化物隔离区，所述III族氮化物隔离区具有大于2000Ω‑cm的电阻率，其中位于第一外延层的底表面上的衬底是半绝缘性或绝缘性衬底。