发明名称 包括功率半导体管芯和具有暴露表面部分的热沉的子组件
摘要 一种半导体组件包括具有热沉的第一子组件。焊料材料设置在热沉的第一表面中的暴露部分上。功率半导体管芯位于热沉的第一表面上,并且通过焊料材料与其热耦合。封装构图聚合物层设置在热沉的与第一表面相对的第二表面上,并且限定热沉的内表面部分。设置半导体封装,第一子组件、焊料材料和管芯位于半导体封装中,使得热沉的第二表面的内表面部分没有被半导体封装包围。
申请公布号 CN101796634B 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN200880104978.5 申请日期 2008.07.09
申请人 威世通用半导体公司 发明人 江挽澜;林光汉;彭智平
分类号 H01L23/34(2006.01)I 主分类号 H01L23/34(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 关兆辉;谢丽娜
主权项 一种半导体组件,包括:第一子组件,所述第一子组件包括第一热沉;焊料材料,所述焊料材料设置在所述第一热沉的第一表面的暴露部分上;以及功率半导体管芯,所述功率半导体管芯位于所述第一热沉的第一表面上、并且通过所述焊料材料与其热耦合;封装构图聚合物层,所述封装构图聚合物层仅设置在所述第一热沉的与所述第一表面相对的第二表面上、并且限定了所述第一热沉的内表面部分;半导体封装,所述第一子组件、焊料材料和管芯位于所述半导体封装中,使得所述第一热沉的第二表面的内表面部分没有被所述半导体封装包围;第一构图聚合物层,所述第一构图聚合物层设置在所述第一热沉的第一表面上,以限定所述第一表面的暴露部分,所述第一表面的暴露部分从所述第一构图聚合物层沿着所述第一热沉表面径向向内延伸;以及第二构图聚合物层,所述第二构图聚合物层设置在所述第一构图聚合物层的径向靠外的部分上,所述第一构图聚合物层和所述第二构图聚合物层限定了用于容纳所述功率半导体管芯的单元,其中,所述第一构图聚合物层限定了其中可以放置有焊料的单元的侧壁,在所述第一构图聚合物层上方形成所述第二构图聚合物层,所述第二构图聚合物层限定了其中要放置功率半导体管芯的边界,所述第一构图聚合物层的暴露部分限定了最终在其上可以安装功率半导体管芯的表面。
地址 美国纽约