一种石墨烯器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；与石墨烯层相接触的栅极区；形成于栅极区两侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区，其中所述半导体掺杂区与所述栅极区相互隔离；形成于栅极区上的接触以及形成于半导体掺杂区上的接触。通过所述半导体掺杂区来提高石墨烯器件的开关比，而不必增大石墨烯材料本身的带隙亦即不牺牲材料的迁移率和器件的速度，从而使石墨烯材料在CMOS器件中的得到更好的应用。

主权项

一种石墨烯器件结构，所述结构包括：衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；形成在衬底的半导体层中且与衬底的绝缘层接触的栅电极，以及栅电极上的栅介质层，所述栅介质层和顶层硅组成背栅极区，所述背栅极区的侧壁与衬底的半导体层通过隔离层相互隔离；形成在栅电极两侧的半导体层中的半导体掺杂区；石墨烯层，部分覆盖所述背栅极区以及半导体掺杂区；形成于未被石墨烯层覆盖的栅电极上的接触以及形成于未被石墨烯层覆盖的半导体掺杂区上的接触。