发明名称 电子封装结构的声阻抗表述方法
摘要 本发明涉及一种电子封装结构的声阻抗表述方法,可用于微电子和复合材料检测领域。本发明的声阻抗表述方法通过对超声A扫描信号进行处理分析,得到该点入射方向上各层介质的声阻抗;然后以C扫描的方式在平面内移动探头,从而获取电子封装内部各点的声阻抗信息;把各点的声阻抗信息存储在矩阵中,并用将其进行三维成像,从而表征出电子封装的内部结构。
申请公布号 CN102830168A 申请公布日期 2012.12.19
申请号 CN201110157327.6 申请日期 2011.06.13
申请人 北京理工大学 发明人 徐春广;刘中柱;赵新玉;肖定国
分类号 G01N29/06(2006.01)I 主分类号 G01N29/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 电子封装结构的声阻抗表述方法,其特征在于:在对电子封装结构进行超声显微扫查时,通过对封装上各点的A扫描信号进行信号处理,重建出该点垂直方向上各层介质的声阻抗,建立芯片内部各点的声阻抗分布图像,从而表征出电子封装的内部结构。
地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号