一种半导体衬底及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。

主权项

一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片；将所述铝酸锂晶片放置在溅射腔室内，将溅射腔室抽真空至真空度高于10‑3Pa；将所述铝酸锂晶片加热至400℃或更高温度进行保温，以Ar和N2作为溅射气体，以Al或AlN作为靶材在铝酸锂晶片上溅射沉积AlN膜层，得到半导体衬底，在铝酸锂晶片上溅射沉积AlN膜层时的溅射功率为200W‑500W，在铝酸锂晶片上溅射沉积AlN膜层时的溅射时间为20分钟‑60分钟。